|
在新型半導(dǎo)體領(lǐng)域,北京大學(xué)團隊和美國麻省理工學(xué)院團隊或許可被稱作是“雙雄”一般的存在。而北京大學(xué)彭練矛院士的學(xué)生、北京大學(xué)博士畢業(yè)生、目前正在美國麻省理工學(xué)院從事博士后研究的姜建峰,繼以第一作者身份在 Nature 發(fā)表彈道輸運的硒化銦晶體管研究后,姜建峰近期又以通訊作者兼共同一作的身份,在 Science 發(fā)表了關(guān)于晶圓級集成硒化銦半導(dǎo)體的重要成果。該系列工作不僅進一步推動了超高性能二維器件的可制造性與系統(tǒng)集成化發(fā)展,也引起了業(yè)界廣泛關(guān)注,并于近期收到了英特爾公司以及美國半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的演講邀請。
在此前發(fā)表在于 Nature 的研究中,他和合作者構(gòu)建出一種基于硒化銦的理想彈道輸運晶體管,在單個器件層面首次實現(xiàn)能效超越硅基技術(shù),從實驗角度回答了二維器件是否能超越硅的核心科學(xué)問題。
而在最新發(fā)表于 Science 的工作中,他和合作者再次實現(xiàn)關(guān)鍵性突破,攻克了硒化銦半導(dǎo)體集成制造的難題,首次將二維硒化銦器件從“單器件”推向“晶圓級平臺”,成功實現(xiàn)大面積可集成的二維電子器件,為后摩爾時代的芯片技術(shù)打開了新的可能。 |